La sesta generazione di moduli CSTBT (Carrier-Stored Trench-gate Bipolar Transistor) riduce la tensione di saturazione collettore-emettitore del 15% rispetto ai moduli MPD di quinta generazione e la capacità di gate dal 30% al 50%. Inoltre, la temperatura massima di giunzione è stata innalzata a +175 °C.
La nuova generazione di moduli IGBT MPD è compatibile con i moduli IGBT di quinta generazione in termini di dimensioni, forma e configurazione dei pin. La tensione di isolamento è stata aumentata a 4000 V. I moduli della nuova serie sono disponibili nelle versioni CM900DUC-24S (1200 V/900 A), CM1400DUC-24S (1200 V/1400 A) e CM1000DUC-34SA (1700 V/1000 A).
La nuova serie IGBT è pienamente conforme alla direttiva RoHS.
I sistemi di generazione di energia si stanno orientando sempre più verso fonti energetiche rinnovabili, come l'energia eolica e solare, nell'ambito degli sforzi per limitare le emissioni di anidride carbonica (CO2) responsabili del riscaldamento globale. La sesta generazione della serie MPD risponde alla crescente esigenza di apparecchiature di conversione di potenza robuste e di sistemi su larga scala di tipo megawatt.
