I diodi Schottky Barrier Diodes (SBD)
della serie SCS di ROHM rappresentano una nuova classe di diodi al carburo di silicio che offrono una bassa tensione diretta e un tempo di recupero rapido, con conseguente aumento dell'efficienza di conversione energetica. A differenza dei diodi a recupero rapido basati sul silicio, in cui il tempo di recupero (trr) aumenta con la temperatura, i dispositivi SiC mantengono caratteristiche costanti in un ampio intervallo di temperature, garantendo prestazioni migliori in condizioni reali. Ad esempio, l'SBD da 10 A ha una tensione diretta (VF) di 1,5 V a 25 °C e di 1,6 V a 150 °C. Una bassa VF riduce le perdite di conduzione, mentre il tempo di recupero inverso ultra-breve (15 ns) facilita la commutazione ad alta velocità e minimizza le perdite di connessione. I diodi SiC sono ideali per alimentatori/PFC, inverter per pannelli solari, gruppi di continuità (UPS), condizionatori d'aria e altri prodotti.
MOSFET
raggiunge un'elevata resistenza alla tensione, una bassa resistenza di conduzione e un'elevata velocità di commutazione in un package ad alta dissipazione termica, contribuendo alla miniaturizzazione dei dispositivi e a un minore consumo energetico per una maggiore efficienza. Inoltre, la bassa resistenza di conduzione e le dimensioni compatte del chip garantiscono una bassa capacità e un basso carico di gate. La serie è in fase di ampliamento e ottimizzazione per i dispositivi di prossima generazione.
Ciò li rende dispositivi ideali per una vasta gamma di applicazioni, come circuiti PFC (Power Factor Correction), convertitori e inverter per la conversione di energia. I MOSFET sono adatti anche per i convertitori di potenza, come quelli utilizzati nei veicoli elettrici/ibridi e nelle unità industriali.
