Der 650-V-Leistungs-MOSFET „Superjunction“ von D3 Semiconductor, jetzt bei Mouser Electronics erhältlich, basiert auf der einzigartigen Superjunction +FET™-Technologie des Unternehmens. Dieser innovative Ansatz vereint die Leistung und Effizienz von Superjunction-Architekturen mit der Präzision von Mixed-Signal-Schaltungen. Für maximale Leistung und Zuverlässigkeit ist jeder Superjunction +FET-Leistungs-MOSFET im Portfolio von D3 Semiconductor für 650 V ausgelegt und trägt so zur Verbesserung der Leistungsdichte in Anwendungen bei, die traditionell IGBTs verwenden, wie beispielsweise Wechselrichter und Motorantriebe.
Superjunction + FET-Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch einen extrem niedrigen RDS-ON-Wert (Einschaltwiderstand) von 32 mΩ bis 1000 mΩ aus und bieten so eine verbesserte Leistung in Niederfrequenzanwendungen. Dank ihrer schnellen Schalteigenschaften ermöglichen sie zudem einen Betrieb mit raschen Gate-Ladungstransfers in kürzester Zeit. Jedes Bauteil dieser Familie wird während der Produktion einem 100%igen Lawinenstromtest mit den branchenweit höchsten Lawinenströmen unterzogen, um eine äußerst robuste Lösung selbst für anspruchsvollste Anwendungen zu gewährleisten. Die Bauteile erfüllen außerdem die JESD-22-Norm für elektrostatische Entladungsbeständigkeit (ESD) und wurden über 3000 Stunden lang auf Hochtemperatur-Sperrspannung (HTRB) getestet.
