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10 novembre 2015

Rutronik propose la nouvelle puce mémoire ultra-compacte SPI FRAM 1 Mbit de Fujitsu. Elle constitue la solution idéale pour les applications miniatures à faible consommation d'énergie dans les secteurs des capteurs et des dispositifs portables.

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2 novembre 2015

Toshiba Electronics Europe a lancé une nouvelle gamme de produits de mémoire Flash NAND SLC 24 nm pour applications embarquées, compatible avec l'interface Serial Peripheral (SPI) largement utilisée.

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2 octobre 2015

La dernière version JEDEC 5.1 définit un certain nombre de fonctionnalités nouvelles et améliorées qui seront utiles aux concepteurs de smartphones et autres appareils intelligents.

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5 août 2015

Intel Corporation et Micron Technology, Inc. ont lancé la technologie 3D XPoint™, une mémoire non volatile qui a le potentiel de révolutionner tout appareil, application ou service bénéficiant d'un accès rapide à de grands ensembles de données.

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15 juin 2015

Maxim Integrated Products, Inc. facilite l'étalonnage d'un capteur médical consommable et la surveillance ou le contrôle de la réutilisation non hygiénique des produits médicaux jetables grâce à la mémoire non volatile (NV) 1-Wire® DS28E80 résistante aux radiations gamma.

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18 mai 2015

Crucial lance ses nouveaux modules de mémoire DDR4 Ballistix Sport et Ballistix Tactical, spécialement conçus pour optimiser les performances de jeu. Ces nouveaux modules gaming allient un design élégant à la puissance de la mémoire DDR4 et à la fiabilité indispensable aux joueurs pour dominer la compétition.

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31 mars 2015

Toshiba Corporation a annoncé le développement de la première mémoire flash à 48 couches[1] avec une structure de cellule empilée tridimensionnelle[2] appelée BiCS, un dispositif de 128 gigabits avec 2 bits par cellule (16 gigaoctets).

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23 février 2015

e2v Inc. a annoncé la disponibilité des versions EP (Enhanced Products) de l'EV25Q128-EP, une mémoire flash NOR dotée d'une interface de bus série haute vitesse, compatible avec SPI.

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26 septembre 2014

Alliance Memory a présenté aujourd'hui une nouvelle gamme de mémoires DRAM CMOS DDR (DDR SDRAM) mobiles haute vitesse, conçues pour optimiser l'efficacité énergétique et prolonger l'autonomie des appareils portables compacts. Caractérisées par une faible consommation (1,7 V à 1,95 V) et dotées de nombreuses fonctionnalités d'économie d'énergie, ces mémoires de 256 Mo, 512 Mo, 1 Go et 2 Go sont disponibles en boîtiers FPBGA 60 billes (8 mm x 9 mm) et 90 billes (8 mm x 13 mm).

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13 mai 2014

Samsung Electronics Co., Ltd. a annoncé le lancement de la production en série des premiers SSD PM853T dotés de mémoire flash NAND 3 bits, offrant des performances de pointe. Ces nouveaux SSD permettront aux centres de données de mieux gérer les charges de travail liées aux réseaux sociaux, à la navigation web et à la messagerie électronique, améliorant ainsi leur efficacité opérationnelle.

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6 mai 2014

Microchip annonce un nouveau dispositif de mémoire Flash à accès parallèle : le SST38VF6401B. Le SST38VF6401B est un dispositif CMOS 4M x16 Advanced Multi-Purpose Flash Plus (Advanced MPF+) fabriqué à l’aide de la technologie CMOS SuperFlash® haute performance de Microchip

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25 avril 2014

La miniaturisation des circuits électroniques exige non seulement des composants de petite taille, mais aussi un fonctionnement sans interférences. Avec la gamme de produits WE-TMSB, Würth Elektronik eiSos propose la plus petite puce à ferrite au format standard 0201.