Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha lanciato un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 150 V basato sul suo processo U-MOS XH Trench di nuova generazione. Il nuovo dispositivo (TPH9R00CQ5) è specificamente progettato per l'utilizzo in alimentatori switching ad alte prestazioni, come quelli impiegati nelle stazioni base di telecomunicazione, nonché in altre applicazioni industriali.
Renesas Electronics Corporation ha presentato un nuovo microprocessore industriale (MPU) compatibile con il protocollo di comunicazione EtherCAT, che consente un controllo preciso, ad alta velocità e in tempo reale per i sistemi industriali. L'MPU RZ/T2L eredita l'architettura hardware del suo omologo di fascia superiore, l'RZ/T2M, e offre soluzioni ottimizzate per il mercato in rapida crescita delle comunicazioni EtherCAT.
La diffusa elettrificazione sta guidando la crescita dei semiconduttori SiC, poiché ampi segmenti di mercato come l'elettromobilità, la sostenibilità e l'industria si rivolgono a soluzioni di alimentazione basate su SiC grazie alle loro rapide capacità di commutazione, alle minori perdite di potenza e alle elevate prestazioni alle alte temperature.
EPS Global, organizzazione globale specializzata in servizi di programmazione di circuiti integrati e crittografia sicura, ha annunciato un servizio di programmazione sicura che soddisfa i requisiti della legislazione internazionale in materia di misure di sicurezza informatica per i dispositivi connessi a Internet.
StarPower Semiconductor Ltd., partner di Media MicroComputer e marchio rappresentato in tutto il gruppo Steliau Technology-EUROPE, offre una gamma completa di moduli SiC da 62 mm, fornendo un'alternativa intelligente alle soluzioni IGBT in produzione da diversi anni.
StarPower offre una gamma di moduli half-bridge interamente in SiC in un package standard da 62 mm, ampiamente testati in progetti e prodotti commerciali.
I modelli più importanti sono le seguenti versioni standard:
StarPower ha progettato questi modelli con topologie a semiponte utilizzando MOSFET SiC che sfruttano il diodo interno nel corpo del MOSFET per la conduzione inversa.
Per garantire la massima affidabilità, sia per i campioni che per la produzione di serie, tutti i moduli SiC da 62 mm vengono sottoposti a un processo di sinterizzazione. Inoltre, su richiesta, è possibile raggiungere tensioni di isolamento fino a 6,5 kV.
Media MicroComputer comprende che i requisiti applicativi sono spesso diversi. Alcuni possono richiedere basse perdite di conduzione e bassa Rth, altri basse perdite di commutazione o un rapporto costo/prestazioni ottimizzato per applicazioni sensibili al prezzo. Per garantire che i nostri clienti possano sfruttare appieno il potenziale del SiC per le loro esigenze, StarPower offre la massima flessibilità all'interno dei progetti esistenti senza costi aggiuntivi di attrezzaggio. Questo ci consente di progettare con ID inferiore e Rdson superiore per ridurre i costi dei moduli, oppure di progettare con perdite di commutazione migliorate e Rdson superiore.
Questo è solo un piccolo esempio delle capacità di StarPower. Dal 2005, progettiamo e produciamo moduli IGBT e moduli personalizzati per applicazioni in inverter, apparecchiature di saldatura, riscaldamento a induzione, UPS, veicoli elettrici, energia solare/eolica e altre applicazioni che richiedono potenze di uscita da 10 kW a 1 MW o superiori.
Per agevolare la personalizzazione dei moduli in base alle esigenze specifiche del cliente, gli ingegneri di Media MicroComputer e quelli di StarPower Europe AG, con sede a Cadenazzo, in Svizzera, mettono a disposizione le proprie conoscenze e competenze per garantire i migliori risultati.
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha lanciato due nuovi MOSFET di potenza a canale N da 40 V per applicazioni automotive, destinati ad avere un impatto significativo sulla progettazione dei veicoli di prossima generazione. I modelli XPQR3004PB e XPQ1R004PB utilizzano l'innovativo formato di package a "ala di gabbiano" di grandi dimensioni, noto come L-TOGL™.
Farnell annuncia la disponibilità dei suoi nuovi prodotti EliteSiC in carburo di silicio (SiC), altamente ottimizzati per le soluzioni di onsemi per le infrastrutture energetiche. Questi nuovi dispositivi soddisfano i requisiti prestazionali di nuova generazione grazie alle ridotte perdite di commutazione in condizioni reali rispetto alla concorrenza.
Renesas Electronics Corporation ha presentato un nuovo dispositivo intelligente per l'erogazione di energia (IPD) per il settore automobilistico, in grado di controllare in modo sicuro e flessibile la distribuzione di energia all'interno dei veicoli, soddisfacendo i requisiti delle architetture E/E (elettriche/elettroniche) di nuova generazione.
Intervista a Bob Martin, ingegnere applicativo senior, Business Unit MCU8, Microchip Technology
In che modo l'IoT rivitalizzerà l'industria dei semiconduttori e svolgerà un ruolo chiave nell'“Industria 4.0”?
Microchip:
un termine più appropriato è "riorientamento" dalle applicazioni biometriche personali e dai veicoli autonomi verso applicazioni incentrate sulle migliaia di processi e macchine che operano 24 ore su 24, tutti i giorni dell'anno a livello globale nel settore industriale.
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha lanciato cinque MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200 V che sfruttano la tecnologia SiC di terza generazione dell'azienda per migliorare l'efficienza energetica nelle applicazioni industriali ad alta tensione. Questi dispositivi sono utilizzati in apparecchiature quali stazioni di ricarica per veicoli elettrici, inverter fotovoltaici, alimentatori industriali, gruppi di continuità (UPS) e convertitori DC-DC bidirezionali o a semiponte.
Nexperia ha annunciato il lancio di una nuova gamma di MOSFET da 20V e 30V nel package DFN più piccolo al mondo, il DFN0603. Nexperia offre già dispositivi di protezione ESD in questo package, ma ora è riuscita a integrarlo nel suo portfolio di MOSFET, un risultato che rimane ineguagliato nel settore.
Melexis presenta il pico resolver MLX90381, conforme allo standard AEC-Q100/ISO 26262, che offre facilità d'uso e affidabilità per applicazioni industriali e automotive. Il suo minuscolo package DFN-6 (2 mm x 2,5 mm) consente la miniaturizzazione meccatronica con sensori. Questa soluzione ASIL-ready è programmabile a livello di modulo ed è ideale per il rilevamento della posizione del rotore.
ROHM ha sviluppato l'RS4P063BPHZG, un MOSFET da 100 V ottimizzato per le funzioni di sicurezza e i circuiti di protezione del settore automobilistico. Il nuovo prodotto raggiunge un'ampia SOA (Safe Operating Area) leader del settore* su un ampio intervallo di tensione nel package standard HPLF5060...
ROHM ha sviluppato IGBT da 650 V di quarta generazione, ideali per compressori elettrici e riscaldatori ad alta tensione nel settore automobilistico, nonché per inverter in apparecchiature industriali. Come prodotti di classe 650 V di grado automobilistico,
ROHM ha sviluppato una nuova gamma di MOSFET superconnetti da 600 V, le serie R60xxXNx e R60xxWNx. Nei settori dei data center e delle apparecchiature industriali, la domanda di energia continua ad aumentare con l'incremento dei carichi di elaborazione, generando forti...
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha presentato il TPM1R408RH, un MOSFET di potenza a canale N da 80 V basato sulla più recente tecnologia di processo U-MOS11-H dell'azienda. Progettato per alimentatori switching industriali ad alta efficienza per apparecchiature di data center….
I sistemi di temporizzazione per i veicoli spaziali devono fornire segnali estremamente stabili e precisi agli strumenti di navigazione, comunicazione e scientifici, anche quando i segnali GNSS sono deboli o assenti.
NOVOSENSE Microelectronics ha annunciato il lancio della serie SP301H/L, una famiglia di isolatori digitali a tre canali basati sulla sua tecnologia brevettata di isolamento capacitivo di terza generazione.
Navitas Semiconductor ha annunciato il lancio del suo nuovo package UHV-TO-247-4-ISO, stabilendo un nuovo punto di riferimento per i dispositivi di potenza discreti ad alte prestazioni. Con una distanza di dispersione di oltre 12 mm tra i pin e un isolamento integrato superiore a 6000 V,
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha introdotto sul mercato due isolatori digitali standard compatti, a quattro canali, a media velocità e a basso consumo, destinati ad apparecchiature industriali ed elettronica di consumo.
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) ha ampliato la sua gamma di MOSFET di potenza a canale N con il lancio di nove nuovi componenti in tre tipologie di contenitori piccoli ad alta dissipazione termica.
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