Andere Halbleiter
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Nexperia hat bekannt gegeben, dass eines seiner SMD-Bauteilgehäuse – das CFP15B Clip-Bonding FlatPower-Gehäuse – erstmals die Zuverlässigkeitsprüfung auf Leiterplattenebene (BLR) für Automobilanwendungen durch einen führenden Tier-1-Zulieferer bestanden hat. Es wird zunächst in einem Motorsteuergerät eingesetzt.
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Nexperia hat heute neun neue Leistungs-Bipolartransistoren angekündigt und damit sein Produktportfolio im thermisch und elektrisch vorteilhaften DPAK-Gehäuse erweitert, um Anwendungen von 2 A bis 8 A und 45 V bis 100 V abzudecken. Die neuen Komponenten der MJD-Serie sind pinkompatibel mit anderen MJD-Bauteilen im DPAK-Gehäuse und bieten zudem deutliche Vorteile hinsichtlich der Zuverlässigkeit.
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Intelligente Fertigung steigert die Effizienz der Automatisierung, indem digitale Netzwerke eine wachsende Anzahl von Maschinen, Produktionsanlagen und Robotern miteinander verbinden. Die für das industrielle Internet der Dinge (IIoT) grundlegenden OT- (Operational Technology) und IT-Netzwerke (Information Technology) basieren auf Ethernet für Interoperabilität, höhere Datenübertragungsgeschwindigkeiten und verbesserte Sicherheit.
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Nexperia hat auf die Anforderungen der Industrie nach maximaler Leistung reagiert und eine neue Gruppe von MOSFET-Produkten entwickelt. Anwendungsspezifische FETs (ASFETs) sind MOSFETs mit für spezifische Anwendungen optimierten Parametern. Durch die Fokussierung auf individuelle Anwendungen können sie deutliche Leistungsverbesserungen erzielen.
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Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat einen 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) vorgestellt, der für industrielle Hochleistungsanwendungen wie 400-V-AC-Eingangs-AC/DC-Netzteile, Photovoltaik-Wechselrichter und bidirektionale DC/DC-Wandler für USV-Anlagen (unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme) vorgesehen ist.
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Laut den Entwicklern von Search For The Next (SFN) wurde Bizen®, die neue bahnbrechende Wafer-Verarbeitungstechnologie, anhand von physikalischen Wafer-Ergebnissen und Kalibrierungen verifiziert und liefert die gleichen Spannungspegel, Schaltgeschwindigkeiten und die gleiche Leistungsfähigkeit im Energiemanagement wie Wide-Bandgap-Bauelemente.
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Würth Elektronik hat eine Schaltung mit galvanisch getrennten Sendern veröffentlicht. Die Lösung bietet eine Isolation von 1,5 kV/60 s und ist daher – im Gegensatz zu früheren Schaltungen mit zwei 50-V-Kondensatoren zur galvanischen Trennung – für industrielle Anwendungen geeignet.
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Nexperia, der Experte für essentielle Halbleiter, hat eine Reihe neuer Silizium-Germanium (SiGe)-Gleichrichter mit Sperrspannungen von 120 V, 150 V und 200 V angekündigt, die die hohe Effizienz ihrer Schottky-Pendants mit der thermischen Stabilität von schnellen Erholungsdioden kombinieren.
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Die Toshiba Electronics Europe GmbH hat einen neuen diskreten 1350V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) für den Einsatz in resonanzbasierten Haushaltsgeräten angekündigt, die Induktionserwärmung nutzen, wie z. B. Kochfelder, Reiskocher und Mikrowellenöfen.
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Nexperia hat die branchenweit erste Familie von P-Kanal-MOSFETs im robusten und platzsparenden LFPAK56-Gehäuse (Power-SO8) vorgestellt. Die neuen Bauelemente sind gemäß AEC-Q101 für Automobilanwendungen zugelassen und stellen einen idealen Ersatz für DPAK-MOSFETs dar. Sie bieten eine Reduzierung der Baugröße um über 50 % bei gleichbleibend hoher Leistung.
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RC Microelectronics präsentiert die Serien GTXO-73 und GTXO-C73 im miniaturisierten SMD 7050-Format mit Stratum 3-Stabilität in wirklich kleinen Gehäusen.
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Mouser Electronics, Inc., der weltweit autorisierte Distributor der neuesten Halbleiter und elektronischen Bauteile, führt jetzt die dreiphasigen Wechselrichtermodule CIPOS Tiny von Infineon Technologies.
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