Andere Halbleiter
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Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat einen neuen 2200-V-Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) mit integrierter Schottky-Barrierediode (SBD) für den Einsatz in 1500-V-Gleichstromanwendungen wie Photovoltaik-Wechselrichtern, Ladegeräten für Elektrofahrzeuge, Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern und Energiespeichersystemen entwickelt.
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Mouser hat die NXP Semiconductors S32G3 Fahrzeugnetzwerkprozessoren jetzt auf Lager. Diese Hochleistungsprozessoren kombinieren Controller Area Network (CAN), Local Interconnect Network (LIN) und FlexRay-Netzwerke mit Hochgeschwindigkeits-Ethernet und unterstützen so die Anforderungen komplexer Fahrzeugarchitekturen, die serviceorientierte Gateways, Fahrzeugcomputer, Domänencontroller, Sicherheitsprozessoren und Zonenprozessoren umfassen.
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Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat einen 12V Common-Drain N-Kanal-MOSFET mit einer Strombelastbarkeit von 20A auf den Markt gebracht, der für den Einsatz in Batterieschutzschaltungen in Lithium-Ionen-Akkus (Li-Ion) vorgesehen ist, wie sie häufig in Smartphones, Tablets, Powerbanks, Kompaktkameras, digitalen Spiegelreflexkameras und anderen ähnlichen Anwendungen verwendet werden.
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Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) gibt die Markteinführung von zwölf 650-V-Siliziumkarbid-Schottky-Barrieredioden (SiC-SBDs) auf Basis ihrer neuesten Technologie der 3. Generation bekannt. Die neuen Bauelemente sind speziell für den Einsatz in effizienzkritischen Industrieanwendungen wie Schaltnetzteilen, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Photovoltaik-Wechselrichtern konzipiert.
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Renesas Electronics Corporation hat ein für den Weltraumeinsatz geeignetes, vollständiges Referenzdesign für den adaptiven System-on-a-Chip (SoC) AMD Versal™ XQRVC1902 vorgestellt. Das in Zusammenarbeit mit AMD entwickelte Referenzdesign ISLVERSALDEMO2Z integriert wichtige strahlungsresistente Komponenten für das Energiemanagement, darunter vier neue und kürzlich eingeführte Produkte, in ein ultrakompaktes Design.
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ROHM hat drei neue Modelle der Serie R60xxRNx in sein PrestoMOS™-Sortiment von 600-V-Superjunction-MOSFETs aufgenommen. Diese Bausteine sind für den Betrieb kleiner Motoren in Kühlschränken, Ventilatoren und anderen Anwendungen optimiert, bei denen eine geringe Geräuschunterdrückung wichtig ist.
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Mouser bietet jetzt Galliumnitrid-Leistungs-FETs (GaN-FETs) im e-Modus (Enhancement-Modus) von Nexperia für Niederspannungsanwendungen (100–150 V) und Hochspannungsanwendungen (650 V) an. Diese GaN-Leistungs-FETs zeichnen sich durch eine verbesserte Leistungsdichte dank reduzierter Leitungs- und Schaltverluste aus. Sie eignen sich ideal für Anwendungen im Konsumgüter- und Industriebereich, beispielsweise für Netzwerk-, Automatisierungs- und Kommunikationsinfrastrukturen.
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Mouser hat die NXP Semiconductors i.MX 8M Plus Anwendungsprozessoren jetzt auf Lager. Diese Mehrkern-Embedded-Prozessoren für heterogene Anwendungen sind die ersten der i.MX-Familie mit integrierter neuronaler Verarbeitungseinheit (NPU) für fortschrittliches Edge-Machine-Learning in industriellen Anwendungen und im Internet der Dinge (IoT).
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Schützen und bewahren Sie die Integrität Ihres Systems mit unserer dsPIC33C MPT-Familie digitaler Signalcontroller (DSCs). Diese integrieren ein sicheres Subsystem mit einer hochentwickelten JIL-HSM-Architektur und bieten fortschrittliche kryptografische Algorithmen sowie sichere Schlüsselspeicherung. Die Controller erfüllen die EVITA-Full-Spezifikation und decken die Sicherheitsanforderungen von Anwendungen in der Automobil-, Industrie-, Medizin- und IoT-Branche ab.
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Mecter, der offizielle Vertriebspartner von HopeRF für Spanien und Portugal, gibt die Markteinführung seiner digitalen Isolatoren bekannt. Die digitale Isolationstechnologie basiert auf der Reihenschaltung von Siliziumkondensatoren mit einer Dicke von bis zu 32 Mikrometern und bietet gegenüber herkömmlichen Optokopplern mehrere Vorteile.
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Von alltäglichen Anwendungen wie Mobiltelefonen und Online-Banking bis hin zu komplexen Unterwasserverteidigungsmissionen ist die präzise Synchronisierung von Zeit und Frequenz unerlässlich für den Schutz und die Verarbeitung von Daten. Viele dieser Anwendungen nutzen globale Navigationssatellitensysteme (GNSS), um genaue Zeit- und Frequenzdaten zu erhalten. GNSS-Systeme sind jedoch anfällig für Störungen und Angriffe, die auf die Manipulation der Daten abzielen.
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ROHM hat MOSFET Nch (40V/60V/80V/100V/150V) der Serie RS6xxxxBx / RH6xxxxBx mit 13 Artikelnummern entwickelt, die für Anwendungen mit 24V/36V/48V-Stromversorgungen wie Basisstationen, Server und Motoren für Industrie- und Konsumgeräte geeignet sind.
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