Andere Halbleiter

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Kategorie: Sonstige Halbleiter

16. Mai 2023

Der Standard-USB-Anschluss (Universal Serial Bus) ist ein etablierter Industriestandard für die Datenübertragung zwischen zwei Geräten. Die zunehmende Integration elektronischer Komponenten in Automobil-, Industrie- und Konsumgüteranwendungen hat den Bedarf an USB-Kabeln mit größerer Reichweite erhöht. Mit dem Ziel, dem Markt zuverlässige USB-Lösungen für große Entfernungen anzubieten,

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16. Mai 2023

Mouser hat jetzt das Microchip Technology ATECC608B CryptoAuthentication™-Gerät auf Lager. Der ATECC608B kann mit vorinstallierten kryptografischen Schlüsseln betrieben werden, die sicher in eingebetteten Systemen und IoT-Geräten gespeichert werden, oder als kryptografischer Koprozessor fungieren und sichere kryptografische Algorithmen ausführen, ohne die Ressourcen des Host-Mikroprozessors oder Mikrocontrollers zu überlasten.

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9. Mai 2023

Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat ihre neue Serie digitaler Trennschalter der DCL54xx01-Serie vorgestellt, die die Stabilität von Hochgeschwindigkeits-Digitalkommunikation auch in anspruchsvollsten Industrieumgebungen gewährleisten. Die Trennschalter schützen vor den in industriellen Arbeitsbereichen häufig auftretenden starken Spannungsimpulsen, die Gleichtaktstörungen in Datenleitungsinfrastrukturen verursachen können.

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9. Mai 2023

Power Integrations hat die SCALE-iFlex™ LT NTC-Familie von Gate-Treibern für IGBT/SiC-Module vorgestellt. Die neuen Gate-Treiber sind für die neuen und weit verbreiteten 100 mm x 140 mm Dual-IGBT-Module wie den Mitsubishi LV100 und den Infineon XHP 2 sowie für Siliziumkarbid-Varianten (SiC) mit einer Sperrspannung von bis zu 2300 V ausgelegt.

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9. Mai 2023

Power Integrations hat einen neuen einkanaligen Plug-and-Play-Gate-Treiber für 190 mm x 140 mm IGBT- und IHV-Module bis 3300 V angekündigt. Der 1SP0635V2A0D kombiniert die bewährten SCALE-2™ mit einer konfigurierbaren isolierten seriellen Ausgangsschnittstelle, wodurch die Programmierbarkeit des Treibers erhöht und umfassende Telemetrieberichte für eine genaue Lebensdauerabschätzung bereitgestellt werden.

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13. April 2023

Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat einen neuen 150-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET auf Basis des U-MOS-XH-Trench-Prozesses der nächsten Generation auf den Markt gebracht. Das neue Bauteil (TPH9R00CQ5) ist speziell für den Einsatz in Hochleistungs-Schaltnetzteilen, wie sie beispielsweise in Kommunikationsbasisstationen verwendet werden, sowie in anderen industriellen Anwendungen konzipiert.

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23. März 2023

Renesas Electronics Corporation hat einen neuen Industrie-Mikroprozessor (MPU) vorgestellt, der mit dem EtherCAT-Kommunikationsprotokoll kompatibel ist und eine präzise, ​​schnelle Echtzeitsteuerung für industrielle Systeme ermöglicht. Der RZ/T2L MPU basiert auf der Hardwarearchitektur seines höherwertigen Pendants, des RZ/T2M, und bietet optimierte Lösungen für den schnell wachsenden EtherCAT-Kommunikationsmarkt.

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21. März 2023

Die zunehmende Elektrifizierung treibt das Wachstum von SiC-Halbleitern voran, da große Marktsegmente wie Elektromobilität, Nachhaltigkeit und Industrie auf SiC-basierte Leistungslösungen setzen, dank ihrer schnellen Schaltfähigkeit, geringeren Leistungsverluste und hohen Leistungsfähigkeit bei hohen Temperaturen.

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17. März 2023

EPS Global, ein weltweit tätiges Unternehmen im Bereich der Programmierung integrierter Schaltkreise und sicherer Verschlüsselung, hat einen sicheren Programmierdienst angekündigt, der die Anforderungen internationaler Gesetze zu Cybersicherheitsmaßnahmen für mit dem Internet verbundene Geräte erfüllt.

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6. März 2023

StarPower Semiconductor Ltd., ein Partner von Media MicroComputer und eine Marke der Steliau Technology-EUROPE Gruppe, bietet ein umfassendes Sortiment an 62-mm-SiC-Modulen und damit eine intelligente Alternative zu den seit Jahren bewährten IGBT-Lösungen.
StarPower bietet eine Reihe von Voll-SiC-Halbbrückenmodulen im branchenüblichen 62-mm-Gehäuse, die in marktgerechten Designs und Produkten umfassend getestet wurden.
Die wichtigsten Modelle sind die folgenden Standardversionen:

StarPower hat diese Modelle mit Halbbrückentopologien unter Verwendung von SiC-MOSFETs entwickelt, die die interne Diode im MOSFET-Körper für die Sperrleitung nutzen.

Um höchste Zuverlässigkeit sowohl bei Mustern als auch bei der Serienfertigung zu gewährleisten, werden alle 62-mm-SiC-Module gesintert. Auf Anfrage sind zudem Isolationsspannungen von bis zu 6,5 kV möglich.

Media MicroComputer ist sich bewusst, dass die Anwendungsanforderungen oft vielfältig sind. Manche benötigen geringe Leitungsverluste und einen niedrigen Schwellenwiderstand (Rth), andere geringe Schaltverluste oder ein optimiertes Kosten-Nutzen-Verhältnis für preissensible Anwendungen. Um sicherzustellen, dass unsere Kunden das volle Potenzial von SiC für ihre Bedürfnisse ausschöpfen können, bietet StarPower maximale Flexibilität innerhalb bestehender Designs ohne zusätzliche Werkzeugkosten. Dies ermöglicht es uns, Module mit niedrigerem Innenwiderstand (ID) und höherem Einschaltwiderstand (Rdson) für reduzierte Modulkosten oder mit verbesserten Schaltverlusten und höherem Rdson zu entwickeln.
Dies ist nur ein kleiner Einblick in die Möglichkeiten von StarPower. Seit 2005 entwickeln und fertigen wir IGBT-Module und kundenspezifische Module für Anwendungen in Wechselrichtern, Schweißgeräten, induktiven Heizsystemen, USV-Anlagen, Elektrofahrzeugen, Solar-/Windkraftanlagen und anderen Anwendungen mit einer Ausgangsleistung von 10 kW bis 1 MW oder mehr.

Um die Anpassung der Module an die Anwendung des Kunden zu unterstützen, stellen die Ingenieure von Media MicroComputer und die von StarPower Europe AG mit Sitz in der Schweiz, Cadenazzo, ihr Wissen und Know-how zur Verfügung, um die besten Ergebnisse zu erzielen.

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6. Februar 2023

Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat zwei neue 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs für die Automobilindustrie vorgestellt, die die Fahrzeugentwicklung der nächsten Generation maßgeblich beeinflussen werden. Die Modelle XPQR3004PB und XPQ1R004PB nutzen das innovative, großflächige Transistorgehäuseformat L-TOGL^™.

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2. Februar 2023

Farnell gibt die Verfügbarkeit seiner neuen EliteSiC-Siliziumkarbidprodukte (SiC) bekannt, die speziell für die Energieinfrastrukturlösungen von onsemi optimiert wurden. Dank ihrer im Vergleich zu Wettbewerbern reduzierten Schaltverluste unter realen Bedingungen erfüllen diese neuen Bauelemente die Leistungsanforderungen der nächsten Generation.