Andere Halbleiter
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Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat zwei kompakte, vierkanalige, mittelschnelle und stromsparende Standard-Digitalisolatoren auf den Markt gebracht, die für Industrieanlagen und Unterhaltungselektronik bestimmt sind.
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Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat ihr Angebot an N-Kanal-Leistungs-MOSFETs um neun neue Komponenten in drei verschiedenen kleinen Gehäusen mit hoher Wärmeableitung erweitert.
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Vishay Intertechnology, Inc. hat seine Gen 7-Plattform von 1200-V-FRED-Pt®-Hyperfast-Gleichrichtern um sechs neue Bausteine der eSMP®-Serie im SMPC-HV-Gehäuse erweitert. Die für industrielle Anwendungen, die Automobilindustrie und die Energieversorgung optimierten 1-A-, 2-A- und 3-A-Gleichrichter bieten nicht nur die beste Balance zwischen Rückladestrom (Qrr)
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ROHM hat die AG16xFNxx-Serie entwickelt, eine Reihe von 80-V-Leistungs-MOSFETs für 48-V-Bordnetze, die in Automobilanwendungen immer häufiger zum Einsatz kommen. Im Automobilsektor steigt der Leistungsbedarf, insbesondere bei Fahrzeugen der Oberklasse.
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Mouser Electronics, Inc. ist ein autorisierter globaler Distributor der neuesten Produkte von Altera, dem weltweit größten Anbieter exklusiver FPGA-Lösungen. Mit über 7.500 Produkten, die ab Lager verfügbar oder bestellbar sind, bietet Mouser ein breites Portfolio der neuesten Altera-Lösungen und damit die Bausteine für Rechenzentren, Künstliche Intelligenz (KI), immersive Technologien und Embedded-Anwendungen.
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Ideal Power hat die Verfügbarkeit seines neuen B-TRAN® IPAD01208A04-Geräts bekannt gegeben, eines bidirektionalen 1200V 75A Halbleiterschalters, der für Anwendungen mit hoher Energieeffizienz entwickelt wurde, bei denen Leitungsverluste, Zuverlässigkeit und Leistungsdichte entscheidende Faktoren sind.
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Wolfspeed hat seine Technologie der fünften Generation vorgestellt, die einen wesentlichen Fortschritt in puncto Effizienz für industrielle und automobile Anwendungen der nächsten Generation mit 1200 V und 750 V darstellt.
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Die Verwendung von Siliziumkarbid (SiC) als Basismaterial für Leistungs-MOSFET-Transistoren in Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge zählt seit einem Jahrzehnt zu den etabliertesten Trends in der Leistungselektronik. Die Vorteile von SiC gegenüber herkömmlichem Silizium sind bekannt: geringere Leitungs- und Schaltverluste, höhere Betriebstemperatur und höhere Betriebsfrequenz.
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Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) gibt die Markteinführung von drei neuen 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs bekannt: den ab sofort erhältlichen XPMR5904PB sowie die Modelle XPMR7404PB und XPMR8504PB, die in Kürze verfügbar sein werden. Diese Bausteine nutzen das neue SOP Advance (EWF)-Gehäuse und sind für anspruchsvolle Anwendungen im Automobilbereich konzipiert
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Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) bringt den SSM6L826R auf den Markt, einen neuen 30-V-Dual-MOSFET, der N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs in einem einzigen Gehäuse integriert. Das Produkt eignet sich ideal für Anwendungen wie die Steuerung von einphasigen bürstenlosen Gleichstrommotoren (BLDC)
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ROHM hat bekannt gegeben, dass sein 750-V-SiC-MOSFET in eine Notstromversorgungseinheit (BBU) für KI-Server integriert wurde. Angesichts des Aufstiegs generativer KI verlagern sich die Stromversorgungssysteme von KI-Servern hin zu höheren Spannungen und entwickeln sich rasant zu HGÜ-Architekturen
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Microchip Technology gibt die Verfügbarkeit seiner neuen 3,3 kV HV-D3 mSiC® Leistungsmodule bekannt, die entwickelt wurden, um die Einführung von Festkörpertransformatoren (SSTs) in KI-Hyperscale-Rechenzentren und anderen Hochspannungsanwendungen zu erleichtern und zu beschleunigen.
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