Andere Halbleiter
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Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) stellt zwei 80-V-N-Kanal-MOSFETs vor, die dem AEC-Q101-Standard entsprechen und damit ihr Angebot für 48-V-Automobilsysteme erweitern. Die Modelle XPH2R608QB und XPH3R908QB sind die ersten Produkte der nächsten Generation des U-MOSX-H-Prozesses und im SOP Advance (WF)-Gehäuse mit benetzbarer Flanke.
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Wolfspeed, Inc. hat die Markteinführung des ersten kommerziell erhältlichen 10-kV-SiC-Leistungs-MOSFETs bekanntgegeben. Dieser MOSFET setzt neue Maßstäbe in puncto Langlebigkeit und Leistung. Eine Analyse der intrinsischen Lebensdauer mittels zeitabhängigem dielektrischem Durchbruch (TDDB) prognostiziert eine Betriebsdauer von 158.000 Jahren bei einer kontinuierlichen Gate-Vorspannung von 20 V.
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ROHM hat das neueste Bauteil seiner EcoSiC™-Serie entwickelt: SiC-MOSFETs der 5. Generation, optimiert für hocheffiziente Leistungsanwendungen. Diese Technologie eignet sich ideal für elektrische Antriebssysteme in der Automobilindustrie – wie beispielsweise Traktionswechselrichter für Elektrofahrzeuge (xEVs) – sowie für Stromversorgungen von KI-Servern und Industrieanlagen wie Rechenzentren.
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Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) stellt den TPHR6704RL vor, einen 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der im hochmodernen U-MOS11-H-Verfahren gefertigt wird. Das Bauteil ist optimiert für Schaltnetzteile in Rechenzentren sowie für industrielle Anwendungen wie hocheffiziente DC/DC-Wandler, Schaltregler und Motorsteuerungen.
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Die Agilex 5-Produktreihe von Altera ist ab sofort bei Mouser Electronics erhältlich. Die Agilex 5 SoCs und FPGAs von Altera bieten dank dualer Cortex-A76- und Cortex-A55-Kerne sowie Intel 7-Technologie höchste Effizienz in den Bereichen Edge-Computing, digitale Signalverarbeitung (DSP) und künstliche Intelligenz (KI).
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StarPower erweitert sein Portfolio um Halbbrücken- und Dreiphasenbrückenmodule der nächsten Generation für elektrische Antriebssysteme. Die neuen Lösungen basieren auf der neuesten Chipgeneration des Unternehmens und bieten eine deutlich höhere Leistungsdichte, verbesserte thermische Eigenschaften und ein optimiertes Preis-Leistungs-Verhältnis.
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SemiQ Inc., ein globaler Anbieter von fortschrittlichen Siliziumkarbid (SiC)-Lösungen für Anwendungen mit ultrahoher Effizienz, hoher Leistung und hoher Spannung, hat QSiC™ Dual3 auf den Markt gebracht, eine Familie von 1200V Halbbrücken-MOSFET-Modulen, die für Motorantriebe in Kühlsystemen von Rechenzentren, Netzumrichter in Energiespeichersystemen und industrielle Anwendungen vorgesehen sind.
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Renesas Electronics Corporation gab bekannt, dass ihre strahlungsresistenten integrierten Schaltkreise in der NASA-Mission Artemis II zum Einsatz kommen, die am 1. April erfolgreich vom Kennedy Space Center startete. Diese Mission, die erste bemannte Mondumrundung seit Jahrzehnten, stellt einen wichtigen Meilenstein in den Plänen der NASA dar
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Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) gibt die Markteinführung von fünf neuen MOSFET-Bauteilen für die Automobilindustrie bekannt, die platzsparend und einfach zu montieren sind. Die N-Kanal- (XSM6K361NW, XSM6K519NW, XSM6K376NW und XSM6K336NW) und P-Kanal-MOSFETs (XSM6J372NW) sind im DFN2020B(WF)-Gehäuse mit benetzbarer Flankenstruktur untergebracht.
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Mouser Electronics, Inc. bietet ab sofort den IoT-optimierten IW610 Tri-Radio-System-on-a-Chip (SoC) mit Wi-Fi® 6 von NXP® Semiconductors an. Die IW610-Serie stellt einen Quantensprung in puncto Konnektivität und Effizienz für die aufstrebende Industrieautomation und Smart-Home-Umgebungen dar.
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Microchip Technology stellt seine BZPACK mSiC®-Leistungsmodule vor, die die strengen HV-H3TRB-Standards (High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias) erfüllen. BZPACK-Module bieten außergewöhnliche Zuverlässigkeit, optimieren die Fertigung und ermöglichen vielseitige Systemintegrationsoptionen für anspruchsvollste Leistungswandlungsumgebungen.
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StarPower Europe AG präsentiert seine Produktfamilie intelligenter Leistungsmodule (IPMs), die den wachsenden Bedarf an effizienter Energiesteuerung in Industrie, Wohngebäuden und der Elektromobilität decken. Die intelligenten Leistungsmodule von StarPower integrieren Schlüsselkomponenten wie integrierte Schaltkreis-Sperrbauelemente (IGBTs), Hoch- und Niederspannungs-Gate-Controller (HVICs/LVICs) sowie fortschrittliche Schutzfunktionen gegen Betriebsstörungen wie Unterspannung, Überstrom und Übertemperatur in einem einzigen Gehäuse.
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